3600内存条时序是19、19、19、43正常吗
3600内存模块时间为19、19、19、43标准。在随机 19、19、19 之后直到第四个数字，这是正常的。
DDR2内存的时序具体是什么?比如4-4-4-15,5-5-5等等
类别：计算机/网络>>硬件分析：与内存时间相关的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”； 具体：CAS(ColumnAddressStrobe)Duration：列地址选通脉冲延迟时间； 即SDRAM存储器收到数据读指令后，需要延迟多少个时钟周期才能执行该指令？ 这个框架越小， 内存响应速度2.0； 可设置为 2.5 或 3.0。这通常称为 CL 值。
RAS-to-CASdelay (tRCD)：从内存行地址到列地址的延迟时间。
那是， SDRAM行地址选通（RAS，RowAddressStrobe）到列地址选通信号的延迟周期1~15可调； 越小越快。
Row-pre chargedelay (tRP) : 内存行地址选通信号预充电时间调整启动SDRAM之前对行地址选通脉冲信号充电所需的时钟周期，可调范围为1到7； 越小越快。
row-activedelay (tRAS) ：内存行地址选通延迟时间 可用值是 1 到 15。
值越小， 速度越快。
内存时序越低， 更好的记忆性能。
DDR5内存的时序是怎样的？
DDR5 内存时序参数通常通过 CL (CommandLatency)、CL (RowActivetoActive)、CL (RefreshRate) 和 Ct (CycleTime) 来测量。为了获得更好的 DDR5 内存性能，时序通常在 CL30-40-40-96 范围内，该范围代表读取延迟、活动到活动行、刷新周期和写入周期的典型值。
CL30意味着第一步数据传输的响应时间更快，而更高的CL值如40和40则体现出更稳定的性能和更低的访问时间，96意味着内存刷新周期更长，有利于提高系统稳定。
与DDR4相比，DDR5有显着的改进，包括更高的带宽、更低的功耗、将电压从1.2V降低到1.1V、将单通道数据位宽增加到32/40位（用于ECC内存）以及提高数据传输效率。
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通过增加先前获取的 BankGroup 的数量。
不过，目前市场上还没有广泛支持DDR5的平台。
AMD计划于2021年在Zen4处理器中引入DDR5内存插槽。
而英特尔则没有明确计划在其14nm和10nm处理器上支持DDR5，其7nm工艺的Sapphire Rapids服务器处理器预计将在2021年首先支持DDR5。
2021年，消费类产品被迫等待后续更新。
因此，对于那些追求高性能和稳定性的人来说，选择CL30-40-40-96时序DDR5内存是一个不错的选择，但必须考虑平台兼容性和未来升级的可能性。
内存频率超过多少会增加时序
内存频率越高，时序越宽。例如，DDR800内存的SPD（内存制造商写入芯片的内存时序标准）在800M运行时给出的时序为5-5-5-。
如果你运行在15、533M，时序可能是4-4-4-12，如果你运行在1066M，时序可能是6-6-6-18。
