内存时序5项填哪4项
CL、TRCD、TRP 和 TRAS。Memory Timing可以简单理解为内存延迟，Memory Timing的五个组成部分分别是CL、TRCD、TRP和TRAS性能最强。
内存条时序是什么意思
内存时间参数一般缩写为2/2/2/6-11/1T的格式。分别表示CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。
2/2/2/6-11/1T中的最后两个定时参数，即tRAS和CMD（命令缩写），是最复杂的定时参数。
目前市场上对这两个参数存在一些误解，因为一些内存厂商直接用它们来代表内存性能。
用更熟悉的术语来说，CMDRate 是芯片组意义上的延迟。
它并不完全由内存决定虚拟地址的解释。
不难看出，高密度、大容量的系统的内存物理地址范围更大，其CMD延迟明显大于只有单个内存甚至单个双面内存的系统。
怎么看一块内存条的时序呢?
内存时序是评估内存模块性能的关键参数，通常记录在内存模块的SPD中。时序设置通常显示为内存颗粒上的标签，包括四个标志：CL (CASLatency)、tRP (RASPrechargeDelay)、tRCD (RAS-to-CASDelay) 和 tRAS (RowActiveDelay)。
CL值CASLatency代表内存的CAS延迟，是内存性能的重要指标。
有些品牌会直接在内存条标签上显示CL值。
tRCD是存储器行地址传输到列地址的延迟时间，tRP是存储器行地址采样脉冲的预充电时间，tRAS是存储器行地址采样的延迟时间。
购买内存时，这四个参数是最值得注意的时序设置指标。
大多数主板 BIOS 允许用户手动配置。
值越低，内存延迟越低，读取速度越快。
通过调节电压，用户可以进一步探索极限内存性能。
但是，应该注意的是，不正确的电压调整会对内存稳定性产生负面影响。
内存条时序是什么意思
内存模块时序是指描述同步动态随机存取内存性能的四个参数。
内存时序的四个参数分别是CL、TRCD、TRP、TRAS，单位是时钟周期。
它通常写为由破折号分隔的四个数字，例如 7-8-8-24。
第四个参数经常被省略，但有时会添加第五个参数。
Commandrate，通常也写作2T或1T、2N、1N。
这些参数指定延迟（latency），它影响随机存取存储器的速度。
较低的数字通常会带来更快的性能。
决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。
将内存时序转换为实际延迟时要注意的最重要的一点是它们是时钟周期。
如果不知道时钟周期的时间，就不可能知道一组数字是否比另一组快。
内存时序注意：
内存带宽是内存吞吐量的衡量标准，通常受传输速率而非延迟的限制。
通过交叉存取多个 SDRAM 内部存储体，可以实现全速连续传输。
增加带宽会增加延迟。
特别是，每一代新一代DDR内存都具有更高的传输速率，但绝对延迟并没有显着变化。
特别是，第一批上市的下一代产品通常比前几代产品具有更长的延迟时间。
增加内存带宽可以提高具有多个处理器或多执行线程的计算机系统的性能，即使内存延迟会增加。
更高的带宽还可以提高没有专用视频内存的集成显卡的性能。
