内存条超频需要改电压吗
当频率是关键因素时； 应适当调整cl值； 如果不稳定，调整到基波最大频率后，可以增加总值（四个定时因子中的最后一个）。DDR3为1.65V； ddr4可以尝试将电压提高到5v。
一般来说， 频率值增加一级（每级大约相距266mhz），cl值一级增加。
（对于并行内存来说也是如此。
）例如， DDR3 1600兆赫 cl9内存一般为2133mhz； 超频至 cl11 和 1866mhz； 还可以超频到cl10。
(1600-1866-21339-10-11) 如果更高。
您可以尝试增加电压。
当然， 最重要的是身体问题。
现在， 最好使用三星b-die芯片内存，如3000mhz频率cl14。
最好的ddr3是Micron的1600mhz，cl8，1.35v，当超频到2133mhz（1.5v）时它只有cl9。
ddr4 2666 内存超频多少合适
2933 MHz 一般来说，DDR42666 MHz 内存很常见。如果超频，通常会超过 2933 MHz。
适度放松时机和张力，能稳定下来就好了。
一般来说，不建议走高。
内存超频时序设置参数介绍
内存超频时序参数介绍？
1. DDR4内存时序参数为3200(16)8G×16，CL16-16-161.35V较好，默认为DDR42133，1.2V，XMP加载可直接提升频率至DDR4320016-16-16-362T，高频时电压为 1.35 伏；
2. 如果你的ddr4内存没有动第一个时序，尽量不要动第一个时序，从第二个时序开始调整第一个时序，放大tRFC和tREF一般可以得到更高的频率。
DDR4 内存额定值与 DDR4 和 DDR42 内存不同。
第一个序列中的CR对内存频率和性能影响不大； 稳定后改善超频。
tRRD对性能影响较大，尽量避免牺牲高频的第三个时序，虽然第三个时序不清楚，经常被遗忘，但不建议牺牲高频的第三个时序和tWRWR；
