三星DDR43200内存条时序优化指南

2025-01-23 17:33:49
钞仲余
冶金VPS

三星ddr43200内存条时序

三星ddr43200内存条默认时序为DDR4、2133、1.2V。
ddr43200内存时序参数调整为3200(16)8Gx16,CL16-16-161.35V较好。
加载XMP可以直接将频率提升到DDR4-3200-16-16-16-362T,高频时电压为1.35V。
ddr4-3200内存模块不改变第一时序。
您应该首先调整第二个时间。
增大tRFC和tREF可以获得更高的预测率:ddr4内存与ddr4和ddr42内存不同。
第一个时序中的CR对内存频率和性能有影响。
影响不大。
ddr4第二个时序中的tRTP、tRTW、tWTR对性能影响不大,可以适当放宽,以提高超频后的稳定性。
tRRD 对性能影响较大。

给内存超频,怎样调整内存电压和时序可以使内存在更大的频率下稳定运行?

当频率为主要因素时,应适当调整CL值,如果不稳定,可增加总值(即四个计时项中的最后一项)。
调整原来的最大频率后,可以尝试将电压提高到更大频率的DDR3 1.65v和DDR4 .5v。
通常,频率值增加一级(每级大约相距 266 MHz),CL 值增加 1。
(对于相同的内存也是如此。
)例如ddr31600mhzcl9内存通常超频到2133mhzcl11,但当然也可以超频到1866mhzcl10。
(1600-1866-21339-10-11) 如果电压高,可以尝试提高电压。
当然,最重要的还是身体素质。
目前最好使用三星B-die芯片内存,比如3000MHz频率的CL14,其次是3000MHz频率的CL16。
最好的ddr3是美光的1600mhz、cl8、1.35v。
当超频到2133mhz(1.5v时)时,只有cl9,相当强大。

3400频率内存条最佳时序

3400 恰逢 18-20-20-20。
扩展数据DDR43400内存更好的时序4000到4266频率。
内存条的时序越低,超频能力越好,16。
对于高频率,稍微超频就足够了。

原来内存超频这么简单——intel平台DDR4四条内存超频教程

2019年8月,我首次在知乎分享内存超频教程。
受到了广大玩家的一致好评。
文章在谷歌搜索中排名第一,阅读量已突破10万,这让我深感欣慰。
今年3月,我购买了两套三星性能出色的内存芯片,并决定对其中四套进行超频尝试,以适应新发布的Z490平台。
随着各大品牌主板超频成绩的提升,我意识到会有更多的玩家加入这个领域,所以我写了这篇文章来分享我的经验。

本文将重点解答内存超频中的常见问题,特别是四根内存条(8GB*4)的超频方法。
适用于Z170至Z590平台,特别是使用三星特选的B-die DDR4内存。
文章分为三部分:

第一部分讲解超频超测标准:即使内存老化测试表现良好,游戏闪烁也可能是由于CPU主频或缓存频率不稳定造成的。
超频时,请确保CPU默认,待内存超频完成后再调整CPU。
烘焙机软件设置必须正确选择,以避免产生错误印象,例如使用TM5而不是仅运行1小时的RunMemtestPro。
第二部分提供了提高超频效率的建议:硬件方面,建议选择适合超频的CPU和内存,如Intel9900K或10900K,以及智器的三星B-die内存。
主板推荐MSI,特别是Z490主板的Memoryforce功能,有助于快速识别内存构成并优化参数。
该软件为三星 B-die 提供一组日常频率、电压和时序参考。
最后分享一下四根内存条超频的实用技巧:先测试单条内存条的物理品质,根据信号强度将内存与插槽进行匹配,利用ODT技术消除反射,进行内存训练,保证 稳定。
通过一系列步骤,我成功将Z370-E主板上的内存超频到4200C16,并稳定在4133C16。

希望这些信息对内存超频新手有所帮助。
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谢谢!

麦翔

2020年5月11日

ddr42400内存最佳时序

大约 CL15-17。
普通ddr42400内存条的频率为2400 MHz,时序约为CL15-17。
大多数DDR4代内存条的默认频率仅为2133 MHz,因此即使您购买了高频内存条,也需要在设置主板BIOS中启用XMP(自动超频)或手动设置超频才能达到DDR4提供的频率要求卖家说,很多主板不支持2666 MHz以上的频率。
即使你的存储卡是4000 MHz,它也会自动将频率降低到2666 MHz。
这就需要用户阅读主板上的说明。