内存时序怎么调到最优
如何使最佳记忆时间？
时间站点是3200（16）8g×16， 如果CL16-16-161.35V不更改DDR4存储器 不要第一次更改，应首先调整第二次。
F通常具有DDR4内存DDR4和DDR42内存CR的频率不同。
内存时序怎么调？
内存时间的调整阶段如下： BIOS中的打开手动设置。
在BIOS设置中找到“可播放的”。
BIOS设置还有其他详细信息，自动配置，自动，序列示意，timingcondiguringbisted等，其价值为“ menual”（取决于BIOS的各种潜在选择：ON/OFF或胜任//胜任//胜任// ）。
记忆是根据行和列设计的。
在预示之前，内存实际上开始确保RAS。
一旦TRAS活跃，RAS（Rowaddressstrobe）开始解决数据。
第一行是已知的，然后TRCD启动，循环结束，然后通过CAS到达所需数据的确切十六进制地址。
从CAS到CAS的尽头，这就是CAS延迟。
因此，CAS是查找数据的最后阶段，它在内存参数中也最重要。
内存计时，一个参数，通常存储在存储栏的SPD上。
2–2-2-84数字是指：casalancy（称为Cl值）内存CASS延迟时间。
Ras -to -Casdelay（TRCD），延迟时间发送到列地址的存储线地址。
内存时序怎么调 调整时序的具体操作方法
如何配置内存时序。
调整内存时序的具体方法与内存读取的速度密切相关。
然而，我相信大多数人并不知道内存时序实际上可以是这样的。
手动调节。
那么如何调整内存时序呢？ 这实际上可以在 BIOS 设置中配置吗？
如何配置内存时序？
1. 首先重新启动计算机徽标并按热键进入BIOS界面设置。
[热键列表]
2. 进入后，找到高级选项并进入。
这是ChiPSet的扩展功能
3。
进入后，首先设置DRAMTimingSel可以手动更改
（这里的参数可能不同，尝试找到时间或时间，然后更改为“启用”或“已启用”）
4. 接下来的四个。
选项-内存同步。
5. 将这些内存时序一一选择进行更改，更改后记得保存。
其实当前内存不需要手动定时调整，它会自动调整。
感谢您的观看。
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