内存超频时序设置参数介绍
内存超频时序设置参数介绍？
1. DDR4内存时序参数为3200(16)8G×16，CL16-16-161.35V较好，默认为DDR42133，1.2V，加载XMP可直接将频率提升至DDR4320016-16 -16-362T，电压高处 频率为1.35V；
2. 如果ddr4内存不移动第一时序，则尽量不要移动第一时序。
首先，调整第一时间。
从第二个时序开始，放大tRFC和tREF一般可以获得较高的频率。
速度; ddr4内存与ddr4和ddr42内存不同。
第一个序列中的CR对内存频率和性能影响不大； ddr4第二序列中的tRTP、tRTW和tWTR对性能影响不大，可以适当放宽以提高超频能力。
稳定后，tRRD 对性能的影响更大。
尽量避免为了高频而牺牲 tRRD。
第三个时机虽然不起眼，经常被遗忘，但它对性能的影响却不小。
不建议为了高频而牺牲第三个时序。
特别是 tRDRD 和 tWRWR；
ddr41.35伏正常吗
通常 DDR4电压为1.2伏，一些高频DDR4内存条的电压为1.35伏。ddr4的安全电压消耗是1.2-1.8，但是垃圾颗粒和碎片不能承受高电压推荐。
