内存超频时序设置参数介绍
内存超频时序调整参数介绍？
1. DDR4内存时序参数为3200(16)8G×16，CL16-16-161.35V较好，默认为DDR42133，1.2V，加载XMP可直接将频率提升至DDR4320016-16。
-16-362T，高频电压1.35V；
2. 如果DDR4内存不移动第一时序，则尽量不要移动第一时序。
、调整第一时序从第二时序开始，tRFC和tREF的放大一般可以获得较高的频率。
速度 ; ddr4内存与ddr4和ddr42内存不同。
第一个序列中的CR对频率和内存性能影响不大； ddr4第二序列中的tRTP、tRTW、tWTR对性能影响不大，可以适当放宽。
提高超频能力。
tRRD 对性能影响较大。
尽量避免因高频而牺牲 tRRD。
尽管第三个计时并不引人注目并且经常被遗忘，但它对性能的影响却不容小觑。
和 tWRWR；
BIOS中内存条的CL(时序)介绍及设置可选值
BIOS 中的内存模块 CL 时序设置对于系统性能非常重要。首先，了解FSB（前端总线）与内存频率之间的关系通常1:1的同步设置可以给出最佳性能，例如200MHzFSB搭配DDR400内存，实际运行频率为400MHz。
不过需要注意外频异步设置过高会导致内存超频，影响稳定性。
内存时序参数，如CL（CASLatencyControl），是衡量内存读写速度的重要指标。
CL 值越低，响应越快，但值太低可能会导致数据丢失。
通常建议将 CL 设置为 2 以获得最佳性能，但某些内存可能会限制为 2.5 或更高。
如果遇到稳定性问题，则需要相应增加延迟值以提高系统稳定性。
另外，tRCD（RAStoCASDelay）也影响性能，值越小，性能越好，但太低会导致不稳定，通常建议设置为3或2，4为稳定状态，5或更高则太低保守的。
对于其他参数如CPC（CommandPerClock），虽然越短越好，但随着内存条数量的增加，太多的命令间隔会影响稳定性，大多数主板都会自动设置此项。
在保证系统性能的同时，需要根据内存质量和超频要求调整这些参数，以达到最佳的内存性能和稳定性。
金士顿3200超频3600最佳时序
18-22-22-42。当金士顿内存3200到3600超频时，最佳时序设置为18-22-22-42。
内存模块的 CAS 延迟 (CL) 设置为 18 个时钟周期，RAS 到 CAS 延迟 (tRCD) 设置为 22 个时钟周期，行预充电时间 (tRP) 设置为 22 个时钟周期，行激活到预充电时间 (tRAS) 设置为 42时钟周期。
您可以在保持稳定性的同时获得更高的性能。
