怎样看主板的内存时序？
问题1 ：如何查看内存时间中的参数，该参数通常存储在内存模块SPD上。2 -2 -2 -8 4 数字目的：CASLATENCY（CL值短）CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一。
Ras-to-Casdolay（TRCD），存储线地址的时间延迟到列地址。
ROW-PRECHARGEDELAY（TRP），门内存门口门钱包PRECHARGE时间。
行activeLay（TRA），开发门地址内存。
这是玩家的四个重要调整。
相同的频率。
当在几个技术文章中引入内存时间参数时，与“ A-B-D”数字“ CL-TRCD-TRP-TRAS”相对应的参数。
呢 ^_^以下是对这些参数和其他参数的简短介绍，这些参数会影响BIOS设置中的内存性能：1 设置第一个“ CL-TRCD-TRP-TRAS”内存延迟时间，您需要在该手册中打开手册BIOS。
gseletcontection，TimingConfiguringByspd等，将其价值设置为“月经”（取决于不同的BIOS选择，是：Live/off/关闭或禁用）。
第一个设置，然后详细信息将自动出现。
mandperclock（CPC：指令的比率，也被翻译为：一阶延迟），通常被描述为drammandrate，cmdrate等。
由于当前的DDR存储器地址，必须提前（通过DIMM处的CS芯片选择信号）进行P-Bank选择，然后必须完成L型/线线激活，并且必须完成列地址的选择。
此参数的含义是指选择P型银行后的多长时间，特定于L-Bank/Line激活顺序要删除，并且单位是时钟周期。
显然，这很短。
但是，当内存模块在主板上增加时，控制芯片组上的负载也会增加，并且指令间隔可能会影响稳定性。
因此，当包含内存并且有一段时间不稳定时，您需要更长的时间调整此参数。
现在，大多数主板现在会自动设置这些参数。
此参数的默认值是禁用的（2 T），如果播放器的内存质量良好，则可以将其设置为启用（1 T）。
CaslatencyControl（TCL）可选设置：自动，1 、1 .5 、2 、2 .5 、3 、3 .5 、4 、4 .5 通常，当我们看到内存时间参数（例如“ 3 -4 -4 -8 ”）时，与上述数值序列匹配的参数为“ CL-TRCD-TRP-TRAS”。
3 这是第一个参数，即CL参数。
CaslatencyControl（也描述为TCL，CL，CaslatencyTime，CastimingDelay），Caslatency是“记忆阅读和写作操作的延迟控制器的前部地址”。
CAS控制时间在接收说明和执行指令之间。
因为电荷主要控制十六进制地址，所以 >>问题2 ：内存时间的时钟是多少？ 那我的记忆呢？ 1 0分钟内的小时代表小时数。
因此，值越小，越好。
您有DDR3 3 2 GB1 8 6 6 MHz内存。
使用软件来测量软件的性能问题。
3 ：如何调整内存时间？ 前4 个项目必须是您现在使用的时间比默认时间更好。
您可以去BIOS进行调整。
如果蓝屏死亡，请调整直至稳定。
问题4 ：如何查看CPUZ内存时间？ 他们以相同的频率运行，收费和种族相同，您可以看到内存选项，这是跑步，充电，赛车等的根内存。
您在上面提到的必须是SPD信息的问题两个内存棒：如何查看内存时间9 -9 -9 -2 4 ，频率越高，时间越低，越好。
但这不是绝对的。
SPD选项卡检查！ 问题6 ：如何查看在线记忆时间。
要查看它，您可以使用CPUZ或AIDA6 4 查看内存参数。
1 8 6 6 年的频率。
您以1 6 00的频率运行。
您可以输入BIOS以手动调整至1 8 6 6 问题9 ：为什么在CPUZ中查看的内存时间与我使用的容器不同的容器不同，该容器可以在三个不同的外部频率下工作，而最后一次一个人只能在一个外部频率下。
在BIOS中，您还可以看到BYSPD或自动内存，即自动设置。
怎么看一块内存条的时序呢?
内存时间是评估内存性能的关键参数，并且通常记录在存储棒SPD中。定时参数通常以标签形式出现在存储粒子上，包括四个指标：CL（Caslatenia），TRP（RasprachargedElay），TRCD（Ras-to-Casdelay）和TRAS（Rowactededeelay）。
Cl的值，即出售，代表记忆潜伏期的CAS，这是测量内存性能的重要指标。
一些品牌将直接在存储棒标签上显示CL值。
TRCD是列在列的地址处地址的延迟时间，TRP是触电的前习惯时间，记忆线的地址和流量是延迟的延迟内存线。
购买内存时，这四个参数最值得关注时间调整指标。
大多数主板BIOS允许用户手动设置它们。
值越低，记忆的延迟越少，并且读取速度更快。
通过调整张力，用户可以进一步探索内存的限制性能。
但是，应该注意的是，不当电压的调节会对内存稳定性产生负面影响。
什么是内存时序，怎样选择时序好的产品？
纪念时机是内存的重要参数之一，反映在记忆棒的SPD中，以四个数字2 -2 -8 表示。每个数字对应于一个特定参数，包括Caslatecy（Cl-Value），内存CAS延迟，Ras-Til-Casdolay（TRCD），纪念列地址，RAD-PRECHARGEDELAY（TRP），内存行时间和行时间和行-ActivedElay（TRAS）（TRAS（TRAS） ），内存行 地址门延迟。
玩家考虑了这四个时间的调整，可以在大多数主板上进行BIOS。
为了提高性能，一些内存模块制造商推出了低潜伏期超频模块，该模块低于JEDEC认证标准。
在相同的频率设置下，较低的时序序列（例如“ 2 -2 -5 ”）可能会导致更高的内存性能，从3 ％到5 个百分点。
因此，选择具有良好时机的产品对于改善计算机性能至关重要。
内存时序怎么看？
频率内存3 2 00的最佳时间通常为CL1 6 就记忆时间而言，它是描述内存杆性能的参数，通常存储在存储棒的SPD上。内存时间通常由四个数字表示，例如Cl-Trcd-Trp-TRA，其中Cl（CAS延迟时间）是最重要的参数。
对于3 2 00频率的内存，CL1 6 是最常见的最佳时间。
在实际应用中，选择记忆时间将受到许多因素的影响。
除记忆频率外，还需要考虑主板和CPU的支持。
对记忆时间的支持可能会因主板和CPU而异。
因此，在选择内存时间时，需要全面考虑硬件兼容性和性能。
以支持3 2 00频率内存的主板为例。
这样的配置可以确保系统的稳定性和性能。
通常，频率内存3 2 00的最佳时间是CL1 6 ，但是还需要根据硬件环境和性能要求对特定选项进行调整。
如果您不确定如何设置它，则可以参考主板和内存制造商提供的拟议值，或咨询仔细的支持人员。
